IPS09N03LA G
Fabrikant Productnummer:

IPS09N03LA G

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPS09N03LA G-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12822937
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPS09N03LA G Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO251-3-11
Pakket / Doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis productnummer
IPS09N

Datasheet & Documenten

Datasheets
IPS09N03LA G
HTML Gegevensblad
IPS09N03LA G-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,500
Andere namen
IPS09N03LA G-DG
IPS09N03LAG
IPS09N03LAGX
SP000015131

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN

infineon-technologies

IPP60R600P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IRFB41N15D

MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB

micro-commercial-components

SI2324A-TP

MOSFET N-CH 100V 2A SOT23